Yüksek Hızlı Esnek Transistör Geliştirildi

Teknolojinin gelişmesine bağlı olarak, teknolojik cihazlarda incelik ve esneklik ön plana çıkmaktadır. Wisconsin-Madison Üniversitesi araştırmacıları esnek ve bir o kadar hızlı transistör geliştirdi. Ayrıntılar haberimizde.

Wisconsin-Madison Üniversitesinden araştırmacıların esnek transistör için kolay ve ucuz bir yöntem geliştirmişlerdir. Esnek transistör için nano ölçekli fabrikasyon metodu ile ışık ve kimyasal maddeler kullanılarak desenler meydana getirilir. Geleneksel litografi yöntemine ek olarak ışık kırılması kullanılarak çoklu geçiş devreleri oluşturulur. Düşük sıcaklıkta uygulanabilen işlem ile basit ve düşük maliyetli tek kristalli polietilen tereftalat (PET) üzerine silikon maddeler işlenerek esnek transistörler oluşturulmuştur. Böylelikle elektriksel iletkenlik de artırılmış olur.

10 nanometre genişliğinde desenler oluşturmak için ışığa duyarlı tabaka üzerine elektron ışınları yollanarak litografi desenleri oluşturulur. Esnekliği sağlamak için ince silikon membran kullanılmaktadır. Kuru aşındırma işlemi uygulanarak esnek transistörlerin üretimi tamamlanmış olur. Kullanılan desen özellikleri bakımından yüksek performansın yanında güç tüketimi çok azdır.

38 GHZ frekans bandında çalışan transistörler simülasyon ortamında yapılan deneylerde 110 GHZ frekans bandına kadar çıkabildiği gözlemlendi. Yapılan hesaplar ile çok yüksek işlem hızlı edilmiştir. Kablosuz bağlantı kullanan sistemlerde veri aktarımı için kullanışlıdır.Giyilebilir cihazlarda da kullanılabilecek esnek transistörler ile çeşitli uygulamalar yapılması mümkün hale gelecektir.

Alıntıdır.